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专利名称: 一种测量FET沟道温度的装置及方法
专利类别: 发明
申请号: 201110259249.0
申请日期: 2011-09-02
专利号: 201110259249.0
第一发明人: 王建辉,刘新宇,王鑫华,庞磊,陈晓娟,袁婷婷,罗卫军
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注: 四室
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