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专利名称: 一种高性能半导体器件及其制造方法
专利类别: 发明
申请号: 201010111086.7
申请日期: 2010-02-11
专利号: ZL201010111086.7
第一发明人: 骆志炯,朱慧珑,尹海洲
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注: 十室
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