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专利名称: 一种源漏区、接触孔及其形成方法
专利类别: 发明
申请号: 201010156570.1
申请日期: 2010-04-21
专利号: ZL201010156570.1
第一发明人: 尹海洲,朱慧珑,骆志炯
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注: 十室
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