| 专利名称: | 一种源漏区、接触孔及其形成方法 |
| 专利类别: | 发明 |
| 申请号: | 201010156570.1 |
| 申请日期: | 2010-04-21 |
| 专利号: | ZL201010156570.1 |
| 第一发明人: | 尹海洲,朱慧珑,骆志炯 |
| 其它备注: | 十室 |
| 专利名称: | 一种源漏区、接触孔及其形成方法 |
| 专利类别: | 发明 |
| 申请号: | 201010156570.1 |
| 申请日期: | 2010-04-21 |
| 专利号: | ZL201010156570.1 |
| 第一发明人: | 尹海洲,朱慧珑,骆志炯 |
| 其它备注: | 十室 |
科研产出