一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管
专利类别:	发明
申请号:	201010531161.5
申请日期:	2010-11-03
专利号:	201010531161.5
第一发明人:	刘梦新,赵发展,刘刚,韩郑生,罗家俊
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:	一室一组

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