半导体结构的制造方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	半导体结构的制造方法
专利类别:	发明
申请号:	PCT/CN2010/001485
申请日期:	2010-09-26
专利号:	US8,497,197
第一发明人:	朱慧珑,尹海洲,骆志炯
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:	十室

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