一种GaN HEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种GaN HEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法
专利类别:	发明
申请号:	201010575278.3
申请日期:	2010-12-07
专利号:	201010575278.3
第一发明人:	蒲颜,庞磊,陈晓娟,欧阳思华,李艳奎,刘新宇
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:	四室一组