基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法
专利类别:	发明
申请号:	200910312948.X
申请日期:	2009-12-31
专利号:	200910312948.X
第一发明人:	王琴
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:	三室一组

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