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专利名称: 一种用于CMOS器件的双金属栅双高介质的集成方法
专利类别: 发明
申请号: 201010199981.9
申请日期: 2010-06-08
专利号: ZL201010199981.9
第一发明人: 徐秋霞,许高博
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注: 十室
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