具有改善的载流子迁移率的场效应晶体管器件及制造方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	具有改善的载流子迁移率的场效应晶体管器件及制造方法
专利类别:	发明
申请号:	200910244632.1
申请日期:	2009-12-31
专利号:	ZL200910244632.1
第一发明人:	朱慧珑,骆志炯,尹海洲
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:	十室