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专利名称: 高性能半导体器件的形成方法
专利类别: 发明
申请号: 200910235780.7
申请日期: 2009-10-15
专利号: ZL200910235780.7
第一发明人: 朱慧珑,王文武
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注: 十室
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