当前位置 首页 科研工作 科研产出 专利
专利名称: 具有改善的载流子迁移率的NMOS的制造方法
专利类别: 发明
申请号: 200910244132.8
申请日期: 2009-12-29
专利号: ZL200910244132.8
第一发明人: 朱慧珑,尹海洲,骆志炯
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注: 十室
中国科学院微电子研究所版权所有 邮编：100029
单位地址：北京市朝阳区北土城西路3号，电子邮件：webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号，京ICP备05002781号-1