专利名称: 控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法
专利类别: 发明专利
申请号: 200910087807.2
申请日期: 2009-06-26
专利号: ZL200910087807.2
第一发明人: 王文武
其它发明人: 王文武;朱慧珑;陈世杰;陈大鹏
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: ZL200910087807.2
专利摘要:
其它备注: 中国科学院微电子研究所