集成电路制作过程中冗余金属填充的方法及半导体器件 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	集成电路制作过程中冗余金属填充的方法及半导体器件
专利类别:	发明专利
申请号:	201110172941.X
申请日期:	2011-06-24
专利号:	ZL201110172941.X
第一发明人:	陈岚,周隽雄
其它发明人:	周隽雄;陈岚;阮文彪;李志刚;王强;叶甜春
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	ZL201110172941.X
专利摘要:
其它备注:	中国科学院微电子研究所

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