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专利名称: 一种MOS场效应晶体管
专利类别: 发明专利
申请号: 201010102696.0
申请日期: 2010-01-28
专利号: ZL201010102696.0
第一发明人: 陈大鹏
其它发明人: 陈大鹏;梁擎擎
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: ZL201010102696.0
专利摘要:
其它备注: 中国科学院微电子研究所
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