专利名称: 自对准金属硅化物的形成方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201010599252.2
申请日期: 2010-12-21
专利号: ZL201010599252.2
第一发明人: 罗军
其它发明人: 罗军;赵超;钟汇才
实施情况: 授权
专利证书号: ZL201010599252.2
其它备注: 中国科学院微电子研究所