| 专利名称: | 半导体器件及其形成方法 |
| 专利类别: | 发明专利 |
| 申请号: | 201010612577.X |
| 申请日期: | 2010-12-29 |
| 专利号: | ZL201010612577.X |
| 第一发明人: | 尹海洲 |
| 其它发明人: | 尹海洲;钟汇才;朱慧珑;骆志炯 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利证书号: | ZL201010612577.X |
| 其它备注: | 中国科学院微电子研究所 |
| 专利名称: | 半导体器件及其形成方法 |
| 专利类别: | 发明专利 |
| 申请号: | 201010612577.X |
| 申请日期: | 2010-12-29 |
| 专利号: | ZL201010612577.X |
| 第一发明人: | 尹海洲 |
| 其它发明人: | 尹海洲;钟汇才;朱慧珑;骆志炯 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利证书号: | ZL201010612577.X |
| 其它备注: | 中国科学院微电子研究所 |
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