MOS晶体管及其形成方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	MOS晶体管及其形成方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201010618284.2
申请日期:	2010-12-31
专利号:	ZL201010618284.2
第一发明人:	钟汇才
其它发明人:	钟汇才;梁擎擎;杨达;赵超
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	ZL201010618284.2
专利摘要:
其它备注:	中国科学院微电子研究所

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