一种对纳米尺度元件进行套刻的方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种对纳米尺度元件进行套刻的方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201110087449.2
申请日期:	2011-04-08
专利号:	201110087449.2
第一发明人:	方磊,王艳花
其它发明人:	谢常青;方磊;朱效立;辛将;李冬梅;刘明
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	201110087449.2
专利摘要:
其它备注:	中国科学院微电子研究所

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