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专利名称: 一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201110090926.0
申请日期: 2011-04-12
专利号: 201110090926.0
第一发明人: 李颖弢
其它发明人: 刘明;李颖弢;龙世兵;吕杭炳;刘琦;张森;王艳
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 201110090926.0
专利摘要:
其它备注: 中国科学院微电子研究所
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