BJ111-0155-串联ggNMOS管及制备方法、多VDD-VSS芯片 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	BJ111-0155-串联ggNMOS管及制备方法、多VDD-VSS芯片
专利类别:	发明专利
申请号:	201110130029.8
申请日期:	2011-05-19
专利号:	ZL201110130029.8
第一发明人:	姜一波
其它发明人:	姜一波;杜寰
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	ZL201110130029.8
专利摘要:
其它备注:	中国科学院微电子研究所