一种绝缘体上硅二极管器件及其制备方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种绝缘体上硅二极管器件及其制备方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201110183539.1
申请日期:	2011-06-30
专利号:	201110183539.1
第一发明人:	毕津顺
其它发明人:	毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	201110183539.1
专利摘要:
其它备注:	中国科学院微电子研究所

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