一种易于填充的沟槽电容及其制备方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种易于填充的沟槽电容及其制备方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201110176559.6
申请日期:	2011-06-28
专利号:	201110176559.6
第一发明人:	王惠娟,王雅兰
其它发明人:	王惠娟;万里兮;李宝霞;赵宁
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	201110176559.6
专利摘要:
其它备注:	中国科学院微电子研究所

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