提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201110421739.6
申请日期:	2011-12-15
专利号:	ZL 201110421739.6
第一发明人:	万军
其它发明人:	万军;赵柯杰;黄成强;饶志鹏;陈波;李超波;夏洋;吕树玲;石莎莉
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	ZL 201110421739.6
专利摘要:
其它备注:	中国科学院微电子研究所

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