集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201110066086.4
申请日期:	2011-03-18
专利号:	201110066086.4
第一发明人:	吕杭炳
其它发明人:	吕杭炳，刘明，龙世兵，刘琦，王艳花，牛洁斌
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	201110066086.4
专利摘要:
其它备注:	中国科学院微电子研究所