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专利名称: PMOS器件叠层结构的制备和栅功函数调节方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201110046360.1
申请日期: 2011-02-25
专利号: ZL201110046360.1
第一发明人: 范正萍
其它发明人: 徐秋霞;李永亮
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: ZL201110046360.1
专利摘要:
其它备注: 中国科学院微电子研究所
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