一种形成半导体结构的方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种形成半导体结构的方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201110033687.5
申请日期:	2011-01-30
专利号:	ZL2011100336875.0
第一发明人:	范正萍
其它发明人:	朱慧珑;尹海洲;骆志炯
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	ZL2011100336875.0
专利摘要:
其它备注:	中国科学院微电子研究所

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