提高后栅工程金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法 --中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出专利

专利名称:	提高后栅工程金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201110005058.1
申请日期:	2011-01-11
专利号:	ZL201110005058.1
第一发明人:	范正萍
其它发明人:	杨涛;赵超;李俊峰
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	ZL201110005058.1
专利摘要:
其它备注:	中国科学院微电子研究所