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专利名称: 用于超浅结注入的离子源装置
专利类别: 发明专利
申请号: 201110004958.4
申请日期: 2011-01-11
专利号: ZL201110004958.4
第一发明人: 范正萍
其它发明人: 刘金彪;张琦辉;宋希明;张浩;李琳;刘强;丁明正;李俊峰;赵超
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: ZL201110004958.4
专利摘要:
其它备注: 中国科学院微电子研究所
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