专利名称: 一种半导体结构及其制造方法
专利类别: 实用新型
申请号: 201190000062.2
申请日期: 2011-10-20
专利号: ZL2011900000622.0
第一发明人: 范正萍
其它发明人: 尹海洲;朱慧珑;骆志炯
实施情况: 授权
专利证书号: ZL2011900000622.0
其它备注: 中国科学院微电子研究所