MOSFET及其制造方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	MOSFET及其制造方法
专利类别:	国际专利
申请号:	PCT/CN2011/077856
申请日期:	2011-08-01
专利号:	US8716799
第一发明人:	范正萍
其它发明人:	朱慧珑;许淼;梁擎擎
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	US8716799
专利摘要:
其它备注:	中国科学院微电子研究所

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