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专利名称: 采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法
专利类别: 国际专利
申请号: PCT/CN2011/000261
申请日期: 2011-02-21
专利号: US8759208
第一发明人: 范正萍
其它发明人: 闫江
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: US8759208
专利摘要:
其它备注: 中国科学院微电子研究所
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