专利名称: 制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构
专利类别: 国际专利
申请号: PCT/CN2011/002004
申请日期: 2011-11-30
专利号: US8729638
第一发明人: 范正萍
其它发明人: 朱慧珑;骆志炯;尹海洲
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: US8729638
专利摘要:
其它备注: 中国科学院微电子研究所