| 专利名称: | 半导体器件的制造方法 |
| 专利类别: | 国际专利 |
| 申请号: | PCT/CN2011/001979 |
| 申请日期: | 2011-11-28 |
| 专利号: | US8664119 |
| 第一发明人: | 范正萍 |
| 其它发明人: | 殷华湘;徐秋霞;孟令款;陈大鹏 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利证书号: | US8664119 |
| 其它备注: | 中国科学院微电子研究所 |
| 专利名称: | 半导体器件的制造方法 |
| 专利类别: | 国际专利 |
| 申请号: | PCT/CN2011/001979 |
| 申请日期: | 2011-11-28 |
| 专利号: | US8664119 |
| 第一发明人: | 范正萍 |
| 其它发明人: | 殷华湘;徐秋霞;孟令款;陈大鹏 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利证书号: | US8664119 |
| 其它备注: | 中国科学院微电子研究所 |
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