专利名称: 一种半导体结构及其制造方法
专利类别: 国际专利
申请号: PCT/CN2011/072956
申请日期: 2011-04-18
专利号: US8,889,554
第一发明人: 范正萍
其它发明人: 尹海洲;蒋葳;骆志炯;朱慧珑
实施情况: 授权
专利证书号: US8,889,554
其它备注: 中国科学院微电子研究所