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专利名称: SOI MOS晶体管
专利类别: 发明专利
申请号: 201210154443.7
申请日期: 2012-05-17
专利号: 201210154443.7
第一发明人: 李莹
其它发明人: 李莹;毕津顺;罗家俊;韩郑生
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 201210154443.7
专利摘要:
其它备注: 中国科学院微电子研究所
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