一种用于单粒子激光脉冲试验功率VDMOS器件封装方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种用于单粒子激光脉冲试验功率VDMOS器件封装方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201320739599.1
申请日期:	2013-11-20
专利号:	201320739599.1
第一发明人:	高博
其它发明人:	高博;丁凯凯;刘刚;王立新;韩郑生;张彦飞;孙博韬
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	201320739599.1
专利摘要:
其它备注:	中国科学院微电子研究所