专利名称: 一种FinFET器件及其制造方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201010150059.0
申请日期: 2010-04-15
专利号: 201010150059.0
第一发明人: 尹海洲;朱慧珑;骆志炯
实施情况: 授权