专利名称: 层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201010215116.9
申请日期: 2010-06-22
专利号: 201010215116.9
第一发明人: 钟汇才;梁擎擎
实施情况: 授权