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专利名称: 应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201010527238.1
申请日期: 2010-10-29
专利号: 201010527238.1
第一发明人: 尹海洲;骆志炯;朱慧珑
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
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