一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201110147251.9
申请日期:	2011-06-02
专利号:	201110147251.9
第一发明人:	李博;申华军;白云;汤益丹;刘焕明;周静涛;杨成樾
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:

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