IGBT器件及其制作方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	IGBT器件及其制作方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201110175526.X
申请日期:	2011-06-27
专利号:	201110175526.X
第一发明人:	滕渊;吴振兴;朱阳军;卢烁今;赵佳;田晓丽;左小珍
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:

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