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专利名称: MOSFET及其制造方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201110178387.6
申请日期: 2011-06-29
专利号: 201110178387.6
第一发明人: 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
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