当前位置 首页 科研工作 科研产出 专利
专利名称: 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201110116103.0
申请日期: 2011-05-05
专利号: 201110116103.0
第一发明人: 赵超;罗军;陈大鹏;叶甜春
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
中国科学院微电子研究所版权所有 邮编：100029
单位地址：北京市朝阳区北土城西路3号，电子邮件：webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号，京ICP备05002781号-1