| 专利名称: | 一种栅堆叠结构、半导体器件及二者的制造方法 |
| 专利类别: | 国际专利 |
| 申请号: | PCT/CN2011/000581 |
| 申请日期: | 2011-04-06 |
| 专利号: | US8969930 |
| 第一发明人: | 骆志炯;朱慧珑 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利名称: | 一种栅堆叠结构、半导体器件及二者的制造方法 |
| 专利类别: | 国际专利 |
| 申请号: | PCT/CN2011/000581 |
| 申请日期: | 2011-04-06 |
| 专利号: | US8969930 |
| 第一发明人: | 骆志炯;朱慧珑 |
| 实施情况: | 授权 |
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