专利名称: 带有存储功能的MOS器件及其形成方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201010579748.3
申请日期: 2010-12-08
专利号: 201010579748.3
第一发明人: 赵超;王文武
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号:
专利摘要:
其它备注: