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专利名称: 钝化半导体接触表面的功率半导体器件结构及制备方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201210449247.2
申请日期: 2012-11-09
专利号: 201210449247.2
第一发明人: 徐承福;朱阳军;胡爱斌;谈景飞;卢烁今;陈宏;吴凯
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
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