专利名称: MOS晶体管及其制作方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201010612589.2
申请日期: 2010-12-29
专利号: 201010612589.2
第一发明人: 罗军;赵超;钟汇才
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 201010612589.2
专利摘要:
其它备注: 十室