一种原子层沉积设备及其使用方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种原子层沉积设备及其使用方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201110300843.X
申请日期:	2011-09-29
专利号:	201110300843.X
第一发明人:	王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:	201110300843.X
专利摘要:
其它备注:	八室一组

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