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专利名称: 低源漏接触电阻MOSFETs及其制造方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201110263766.5
申请日期: 2011-09-07
专利号: 201110263766.5
第一发明人: 罗军;赵超
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 201110263766.5
专利摘要:
其它备注: 十室
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