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专利名称: 衬底结构、半导体器件及其制造方法
专利类别: 国际专利
申请号: PCT/CN2011/071224
申请日期: 2011-03-04
专利号: GB2488869
第一发明人: 钟汇才;梁擎擎
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: GB2488869
专利摘要:
其它备注: 十室
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